RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
3447
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link