Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 29
    Autour de 3% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.5 left arrow 11.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    10.2 left arrow 6.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 10600
    Autour de 1.81 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    28 left arrow 29
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.1 left arrow 13.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    6.5 left arrow 10.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2113 left arrow 2088
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons