RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3137
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link