RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
54
Autour de 50% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
54
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2264
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link