RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3302
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link