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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2323
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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