RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2323
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link