RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2374
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link