RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2950
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link