RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2831
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link