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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Comparez
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Note globale
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
54
Autour de -50% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
1,973.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,967.4
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,973.5
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
776
2416
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Comparaison des RAM
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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