RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Comparez
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Note globale
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Note globale
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
54
Autour de -69% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
1,973.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,967.4
10.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,973.5
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
776
2349
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Comparaison des RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link