RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Comparez
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Note globale
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
29
Autour de 31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
20
29
Vitesse de lecture, GB/s
19.1
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3252
2595
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparaison des RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link