RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Comparez
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Note globale
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
26
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
20
26
Vitesse de lecture, GB/s
19.1
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3252
3061
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparaison des RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link