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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Comparez
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Note globale
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
26
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
20
26
Vitesse de lecture, GB/s
19.1
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3252
2955
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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