RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparez
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Note globale
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
85
Autour de 76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
20
85
Vitesse de lecture, GB/s
19.1
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3252
1118
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparaison des RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link