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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Comparez
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Note globale
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
71
Autour de 72% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
20
71
Vitesse de lecture, GB/s
19.1
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3252
1902
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparaison des RAM
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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