RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Comparez
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Note globale
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
38
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
20
38
Vitesse de lecture, GB/s
19.1
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3252
2363
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparaison des RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link