RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Comparez
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Note globale
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
34
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2782
3734
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link