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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Comparez
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Note globale
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
58
Autour de 41% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
16
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
58
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2782
1998
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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