RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Comparez
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Note globale
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
41
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2385
3171
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link