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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Note globale
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Raisons de considérer
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
41
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2385
2989
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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