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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Comparez
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Note globale
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
41
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2385
3004
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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