RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Comparez
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Note globale
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
100
Autour de 59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
100
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2385
1479
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link