RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Comparez
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Note globale
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
39
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
31
Vitesse de lecture, GB/s
14.6
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2355
3126
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link