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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Comparez
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Note globale
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
39
Autour de -63% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
24
Vitesse de lecture, GB/s
14.6
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2355
1433
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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