RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Comparez
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Note globale
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
39
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.6
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2355
3336
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link