RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Comparez
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Note globale
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Note globale
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
39
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.6
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2355
2943
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link