RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Comparez
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Note globale
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
60
Autour de 37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
2.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
60
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
7.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
2.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2228
1505
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link