RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Comparez
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Note globale
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Note globale
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
28
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
20
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
3593
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link