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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Comparez
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Note globale
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Note globale
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2763
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K821PJ-MIH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
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