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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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Raisons de considérer
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
28
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2611
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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