RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Comparez
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Note globale
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
38
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2099
3062
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link