RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Comparez
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Note globale
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2099
3937
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link