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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Comparez
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Note globale
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2099
2354
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
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Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
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