RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Comparez
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Note globale
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2099
2545
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link