RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Comparez
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Note globale
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Note globale
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
75
Autour de 49% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
75
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2099
1548
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link