RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Comparez
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Note globale
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Note globale
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
38
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2099
3145
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link