RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Comparez
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Note globale
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
30
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2307
2732
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link