RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Comparez
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Note globale
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
42
Autour de 40% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
42
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2307
2476
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link