RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Comparez
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Note globale
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
37
Autour de 32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
37
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2307
2082
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link