RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Comparez
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Note globale
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
33
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2307
2913
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link