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Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Comparez
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Note globale
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2348
3113
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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