RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Comparez
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Note globale
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
40
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.0
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2021
3140
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Comparaison des RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5471-011.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link