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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Comparez
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Note globale
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Note globale
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
39
39
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2453
2376
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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