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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
55
Autour de 64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
20
55
Vitesse de lecture, GB/s
17.0
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3077
2701
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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