RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparez
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Note globale
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Note globale
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
59
Autour de 66% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
17
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
20
59
Vitesse de lecture, GB/s
17.0
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3077
2181
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB Comparaison des RAM
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link