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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
23
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
23
Vitesse de lecture, GB/s
18.1
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.9
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3040
3498
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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