RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
34
Autour de 50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
34
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
3178
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link