Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Note globale
star star star star star
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Note globale
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    17 left arrow 34
    Autour de 50% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    22.8 left arrow 19.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    15.4 left arrow 12.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 10600
    Autour de 1.81 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    17 left arrow 34
  • Vitesse de lecture, GB/s
    22.8 left arrow 19.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    15.4 left arrow 12.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    3391 left arrow 3178
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons