RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
31
Autour de 45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
31
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
3405
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link