RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
67
Autour de 75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
67
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
1850
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link